信号包括开关调整二极管击穿电压检测百检检测

更新时间：2022-11-30 16:47:54

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1 半导体器件分立器件和集成电路第2部分：整流二极管 GB/T 4023-2015 7.1.3.1 击穿电压V（BR）

2 半导体器件分立器件第3部分：信号（包括开关）和调整二极管 GB/T 6571-1995 第Ⅳ章第1节 1 反向漏电流 IR

3 半导体器件分立器件和集成电路第2部分：整流二极管 GB/T 4023-2015 7.1.4.1 反向漏电流 IR

4 半导体器件分立器件第3部分：信号（包括开关）和调整二极管 GB/T 6571-1995 第Ⅳ章第2节 4 反向漏电流 IR

5 半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 4016 反向漏电流 IR

6 半导体器件分立器件第3部分：信号（包括开关）和调整二极管 GB/T 6571-1995 第Ⅳ章第2节 1 工作电压 VZ

7 半导体器件分立器件第3部分：信号（包括开关）和调整二极管 GB/T 6571-1995 第Ⅳ章第2节 2 微分电阻 RZ

8 半导体器件分立器件第3部分：信号（包括开关）和调整二极管 GB/T 6571-1995 第Ⅳ章第1节 2 正向电压 VF

9 半导体器件分立器件和集成电路第2部分：整流二极管 GB/T 4023-2015 7.1.2.1 正向电压 VF

10 半导体器件分立器件第3部分：信号（包括开关）和调整二极管 GB/T 6571-1995 第Ⅳ章第2节 5 正向电压 VF

11 半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 4011 正向电压 VF

12 半导体器件分立器件第3部：信号（包括开关）和调整二极管 GB/T6571-1995 第IV章第3节击穿电压