密封半导体集成电路内部目检检测百检网

更新时间：2022-12-12 15:21:33

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1 军用电子元器件破坏性物理分析方法 GJB4027A-2006 1101/2.3 X射线检查

2 军用电子元器件破坏性物理分析方法 GJB4027A-2006 1101/2.7 内部目检

3 军用电子元器件破坏性物理分析方法 GJB4027A-2006 1101/2.10 剪切强度

4 军用电子元器件破坏性物理分析方法 GJB4027A-2006 1101/2.2 外部目检

5 军用电子元器件破坏性物理分析方法 GJB4027A-2006 1101/2.5 密封

6 军用电子元器件破坏性物理分析方法 GJB4027A-2006 1101/2.9 扫描电子显微镜（SEM）检查

7 军用电子元器件破坏性物理分析方法 GJB4027A-2006 1101/2.4 粒子碰撞噪声检测（PIND）

8 军用电子元器件破坏性物理分析方法 GJB4027A-2006 1101/2.8 键合强度

9 军用电子元器件破坏性物理分析方法 GJB4027A-2006 工作项目1101第2.7条内部目检

10 军用电子元器件破坏性物理分析方法 GJB4027A-2006 工作项目1101第2.10条剪切强度

11 军用电子元器件破坏性物理分析方法 GJB4027A-2006 工作项目1101第2.2条外部目检

12 军用电子元器件破坏性物理分析方法 GJB4027A-2006 工作项目1101第2.5条密封