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1 军用电子元器件破坏性物理分析方法 GJB4027A-2006 1101/2.3 X射线检查


2 军用电子元器件破坏性物理分析方法 GJB4027A-2006 1101/2.7 内部目检


3 军用电子元器件破坏性物理分析方法 GJB4027A-2006 1101/2.10 剪切强度


4 军用电子元器件破坏性物理分析方法 GJB4027A-2006 1101/2.2 外部目检


5 军用电子元器件破坏性物理分析方法 GJB4027A-2006 1101/2.5 密封


6 军用电子元器件破坏性物理分析方法 GJB4027A-2006 1101/2.9 扫描电子显微镜(SEM)检查


7 军用电子元器件破坏性物理分析方法 GJB4027A-2006 1101/2.4 粒子碰撞噪声检测(PIND)


8 军用电子元器件破坏性物理分析方法 GJB4027A-2006 1101/2.8 键合强度


9 军用电子元器件破坏性物理分析方法 GJB4027A-2006 工作项目1101第2.7条 内部目检


10 军用电子元器件破坏性物理分析方法 GJB4027A-2006 工作项目1101第2.10条 剪切强度


11 军用电子元器件破坏性物理分析方法 GJB4027A-2006 工作项目1101第2.2条 外部目检


12 军用电子元器件破坏性物理分析方法 GJB4027A-2006 工作项目1101第2.5条 密封


13 军用电子元器件破坏性物理分析方法 GJB4027A-2006 工作项目1101第2.4条 粒子碰撞噪声检测


14 军用电子元器件破坏性物理分析方法 GJB4027A-2006 工作项目1101第2.8条 键合强度


15 军用电子元器件破坏性物理分析方法 GJB 4027A-2006 1101 X射线检查



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